DB-FIB (Fascicul ionic focalizat cu două-faze)

DB-FIB (Fascicul ionic focalizat cu două-faze)
Detalii:
GRGTEST Metrology oferă servicii profesionale de analiză cu fascicul ionic focalizat cu dublu-faz (DB-FIB). Serviciile populare de testare includ secțiuni de eșantion TEM pentru procese avansate (14 nm și mai jos), analiză FA hotspot (inclusiv analiza defectelor de secțiune transversală-hotspot capturată prin diferite metode, cum ar fi OBIRCH) și prelucrarea convențională cu secțiuni transversale-punct{6}}fixat.
Trimite anchetă
Descarca
Descriere
Parametrii tehnici

Conținutul/sfera de aplicare a serviciului și elementele de testare

 

o. TEM Thin-Section Samples

O aplicație importantă a microscopiei cu fascicul ionic focalizat cu fascicul dublu (DB-FIB) este pregătirea de probe ultrasubțiri pentru microscopia electronică cu transmisie (TEM). GRGTEST Metrology poate furniza următoarele elemente de testare pentru această aplicație:

 

Conținutul serviciului

Element de testare

Unitatea de cotație

Tip eșantion

Pregătirea probei pe bază de siliciu (Si) XS (-secțiune transversală).

Fiecare (ea)

Chip-uri avansate de proces la 14 nm și mai jos; cipuri la 28 nm, 40 nm, 55 nm și mai sus

Pregătirea probei pe bază de siliciu (Si) PV (vizual-plan).

Fiecare (ea)

Chip-uri avansate de proces la 14 nm și mai jos; cipuri la 28 nm, 40 nm, 55 nm și mai sus

Pregătirea probei fără-siliciu XS (secțiune-transversală)

Ora (h)

Probe fără-siliciu, inclusiv arseniură de galiu (GaAs), nitrură de galiu (GaN), carbură de siliciu (SiC) etc.

Pregătirea probei PV fără-siliciu (vizual-plan)

Ora (h)

Probe fără-siliciu, inclusiv arseniură de galiu (GaAs), nitrură de galiu (GaN), carbură de siliciu (SiC) etc.

Pregătirea specială a probelor

Ora (h)

Diverse mostre de materiale noi, inclusiv materiale pentru baterii cu litiu, materiale pentru electrozi de grafen etc.

 

b. Analiza secțiunilor transversale-FA Hotspot

Element de testare

Unitatea de cotație

Tip eșantion

Analiza secțiunilor transversale-FA Hotspot (inclusiv hotspot-urile capturate prin metode precum OBIRCH; este disponibilă testarea un-stop, inclusiv capturarea hotspot-ului)

Ora (h)

Mostre de semiconductor: Wafer, IC, componente, MEMS, lasere etc.

 

c. Procesare convențională-secțiuni transversale

Element de testare

Unitatea de cotație

Tip eșantion

Procesare vizată-secțiunii transversale

Ora (h)

Mostre de semiconductor: Wafer, IC, componente, PCB, MEMS, lasere etc.; Alte mostre non-semiconductoare

Procesare ne-divizată-secțiunilor transversale

Ora (h)

Mostre de semiconductor: Wafer, IC, componente, PCB, MEMS, lasere etc.; Alte mostre non-semiconductoare

 

Ciclul de testare

 

Ciclul standard de testare este de 3 zile calendaristice. Pentru cerințe speciale, putem oferi oferte cu timpi de răspuns diferiți de 48h, 24h și 12h.

 

Avantajele noastre

 

Membrii echipei GRGTEST Measurement au experiență relevantă în procesele avansate de fabricare a plachetelor. Aderăm la o abordare-centrată pe client și ne angajăm să oferim servicii de testare precise, în timp util și cuprinzătoare.

GRGTEST Measurement este cea mai mare companie de testare-de stat terță-listată în China. Platforma noastră are un mecanism de management solid și capabilități complete de-testare și analiză a proceselor, permițându-ne să oferim clienților analize în timp util și cu autoritate pentru proiecte complete.

 

Cerințe pentru mostre

 

Anhidru; probele nu trebuie să conțină componente lichide; stabil sub iradiere cu fascicul de ioni (unele probe organice nu pot fi detectate); dimensiuni în general nu depășesc 10cm*10cm*5cm (lungime*lățime*înălțime).

 

 

Tag-uri populare: Furnizor de servicii db-fib (fascicul de ioni focalizat cu dublu-faz), China db-fib (rascicul de ioni focalizat cu dublu-faz)

Trimite anchetă