FIB și TEM avansate pentru analiza plachetelor

Analiză avansată a cipurilor de proces

Analiza cuprinzătoare a straturilor metalice, straturilor M0, structurilor FinFET etc., ale cipurilor de procese avansate de 7 nm și mai mici, fabricate și proiectate de companiile de producție și proiectare de cipuri. Această analiză este utilizată pentru a verifica stabilitatea tehnologiilor avansate de proces și a nodurilor cheie de proces și poate fi folosită și pentru analiza concurenților și inginerie inversă.

Pe măsură ce procesele de fabricație a circuitelor integrate continuă să se îmbunătățească, numerele care reprezintă nodurile cheie de proces devin din ce în ce mai mici, cum ar fi procesele de 65 nm și 40 nm la procesele de 22 nm, 14 nm, 7 nm, 4 nm și 3 nm. Numerele mai mici de noduri indică procese mai avansate, ceea ce înseamnă o mai bună integrare a managementului cristalului, viteze de procesare mai rapide și consum mai mic de energie; cu toate acestea, înseamnă, de asemenea, o complexitate crescută a structurii interne a cipului, dimensiuni structurale cheie mai mici și o dezvoltare treptată către dimensiuni la scară nanometrică care nu pot fi observate prin tehnici generale de imagistică microscopică (cum ar fi microscoapele optice).

Deoarece probele TEM trebuie să fie foarte subțiri pentru ca electronii să pătrundă și să formeze modele de difracție, pulverizarea eficientă a FIB permite procesarea fină a probelor; prin urmare, FIB este adesea folosit pentru optimizarea pregătirii probelor TEM ultrasubțiri.

GRGTEST Metrology deține tehnologii brevetate, inclusiv metode pentru eliminarea efectului de cortină al fasciculului ionic focalizat FIB, o nouă metodă de structură a cadrului pentru prepararea probelor ultrasubțiri TEM sensibile la căldură folosind DB FIB, o metodă de subțiere în trepte FIB-pentru prepararea probelor TEM ultrasubțiri de materiale fragile și ușor crăpate, o metodă de prelucrare ultra-focalizată a secțiunii de ioni pretratament mostre de plachete cu structură fină-sensibile la radiații-și o metodă de preparare a probelor TEM utilizând tăierea inversată FIB. Aceste tehnologii permit imagini TEM de înaltă-rezoluție fără deteriorarea fasciculului de electroni, realizând caracterizarea morfologică la nivel-atomic și analiza compozițională a cipurilor de proces avansate.

Analiza chip FA - 3D Metoda TEM

Tag-uri populare: Advanced fib & tem pentru analiza napolitanelor, furnizorul de servicii de analiză a napolitanelor avansate fib & tem pentru China