MOS, este o abreviere pentru MOSFET. Numele complet este Tranzistor cu efect de câmp cu semiconductor de oxid de metal (MOSFET). Funcția cea mai de bază și folosită în mod obișnuit a MOSFET este de a controla pornirea și oprirea între S și D prin aplicarea tensiunii la nivelul G și este folosită în mod obișnuit ca comutator electronic.
Structura de bază a tranzistorului MOS
MOS are în principal următoarele caracteristici:
1. Impedanță mare de intrare pentru tensiunea porții, iar poarta tranzistorului MOS are un oxid de peliculă izolatoare, dar poarta este ușor defectată de electricitatea statică și tensiunea înaltă, provocând apoi daune ireversibile.
2. Rezistență scăzută, capabil să atingă nivelul de miliohmi și pierderi reduse.
3. Viteză de comutare rapidă și pierderi reduse de comutare.
Principalii parametri electrici caracteristici și rezultatele testelor reale ale MOS
Principalele caracteristici ale parametrilor electrici ai MOS
În funcție de caracteristicile MOS, parametrii caracteristici electrice cel mai frecvent implicați în utilizarea MOS sunt următorii:
• BVDSS (tensiune de întrerupere a scurgerii sursei)
Folosit pentru a evalua rezistența de tensiune între DS. Pentru MOS de mare putere, tensiunea de rezistență între DS este de obicei necesară să fie la nivelul kilovolt. Când se folosește PROBE pentru testarea nivelului plachetei, protecția izolației cu ulei de fluor este de obicei utilizată pentru a preveni deteriorarea cauzată de defalcarea aerului pe suprafața cipului.
• IDSS (Source Leakage Current)
Curentul de scurgere atunci când canalul DS este închis și pierderea DS a MOS în starea nefuncțională sunt de obicei la nivelul uA.
• IGSS (curent de scurgere la poartă)
Curentul de scurgere care trece prin poartă sub o anumită tensiune de poartă.
• Vth (tensiune de prag)
Tensiunea de poartă la care scurgerea începe să aibă curent.
• RDS (pornit) (pe rezistență)
Rezistența de conducere între DS este legată de pierderea transmisiei MOS atunci când este pornit. Cu cât este mai mare RDS (activat), cu atât este mai mare pierderea de MOS. RDS (pornit) este de obicei la nivelul m Ω. Când se utilizează PROBE pentru testarea plachetelor, se utilizează un mediu de testare cu patru fire între DS pentru a elimina influența propriei rezistențe a sondei metalice. Pentru testarea MOS de mare putere, se folosesc sonde de mare putere, iar curentul instantaneu poate atinge nivelul de o sută de amperi.
În general, folosit pentru a conduce curentul invers de la sarcini inductive.
• Ciss (condensator de intrare)
Ciss este compus din conexiune paralelă a capacității de scurgere a porții Cgd și a capacității sursei de poartă Cgs. Circuitul de conducere și Ciss au un impact direct asupra întârzierii de pornire și oprire a dispozitivului.
• Coss (condensator de ieșire)
Coss este compus dintr-un condensator sursă de scurgere Cds și un condensator de drenaj de poartă Cgd conectat în paralel, ceea ce poate provoca rezonanță în circuit.
• Crss (condensator de transfer invers)
Capacitatea de transfer invers este echivalentă cu capacitatea de scurgere a porții Cgd, cunoscută și sub denumirea de capacitate Miller, și este unul dintre parametrii importanți pentru timpul de creștere și scădere a comutatorului, afectând timpul de întârziere la oprire. Capacitatea tranzistorului MOS scade odată cu creșterea tensiunii sursei de scurgere, în special capacitatea de ieșire și capacitatea de transmisie inversă.
Qgs, Qgd, Qg- taxe de poartă
Valoarea de încărcare a porții reflectă sarcina stocată pe capacitatea dintre terminale. În momentul comutării, sarcina stocată în poartă se modifică odată cu tensiunea, iar influența încărcăturii porții este adesea luată în considerare la proiectarea circuitelor de antrenare a porții.
Curba caracteristică de ieșire
Relația ID-VDS dintre curentul care curge prin dren și tensiunea aplicată între dren și sursă sub diferite VGS.
Curba caracteristică de transfer
Relația dintre curentul de scurgere și tensiunea sursei de poartă (ID-VGS) în regiunea de saturație a unui tranzistor MOS sub un anumit VDS.
Capacitatea de testare a parametrilor caracteristici electrice GRGTEST MOS
GRGTEST este echipat cu o platformă de testare a sondelor și a instrumentelor grafice de mare putere, care poate efectua testarea parametrilor caracteristici electrice pe tranzistoare MOS la nivelul pachetului și la nivelul plăcilor (înainte de ambalare și după deschidere).
Mediul de testare dedicat MOS echipat în GRGTEST care poate atinge o tensiune maximă de scurgere a sursei de 3kV (HVSMU, modul de înaltă tensiune), un curent maxim de 1,5 kA (UHCU, modul de curent înalt), o tensiune maximă de poartă de 100V, o precizie de curent de 10fA și o precizie a tensiunii de 25 μ V. Pentru testarea parametrilor dinamici, intervalul de frecvență poate ajunge la 1kHz ~ 1MHz, iar intervalul de testare a capacității caracteristice MOS poate ajunge la 100fF ~ 1 μF.
Platformă de testare a sondei